MRAM 替代SRAM最新方案应用于拉曼光谱仪，红外光谱仪，光纤光谱仪等检测设备

新型存储之MRAM资讯

Issuing time:2023-12-25 10:34Author:glochip.comSource:www.globalizex.com/news/Link:https://www.glochip.com/news/

拉曼光谱仪，红外光谱仪，光纤光谱仪等检测设备，现有产品SRAM以ISSI 16Mb异步快速为主；推荐了NETSOL 最新新型存储MRAM产品，

Parallel STT-MRAM 系列

Netsol的 Parallel STT-MRAM 具有非易失特性和几乎无限的耐用性。

对于需要快速存储和搜索数据和程序的应用程序来说，这是最理想的内存。

适用于工业设备中的代码存储、数据记录、备份和工作存储器。

可替代NOR Flash、FeRAM、nvSRAM等，具有卓越的性能和非易失特性

核心特征

容量 : 1Mb、2Mb、4Mb、8Mb、16Mb、32Mb, 64Mb
电源供应：1.8V（1.7V～1.95V）或3.3V（2.7V～3.6V）
Parallel 异步接口 x16/x8 I/O
数据保存期：10年
读取耐力：无限
擦写耐力 : 1014
无需外部ECC
封装：48FBGA、44TSOP2、54TSOP2

最终选用型号S3R1616R1M-XI70T 1.8V电压，48FBGA封装 16Mb容量，

Note： http://chip.co.at/mram/487.html

Prev天海存储 (SkyHigh Memory) 在业界最先进的 1xnm 工艺技术上扩展了其 SLC NAND 系列系列

NextMRAM存储解锁助听器的自适应功能

Article classification: MRAM

Share to：

name：

Verification code：

Home Product News About Contact

Tel: +86-0755-84866816

Tel: +86-0755-84828852

Mail: kevin@glochip.com

Web: www.chip.com.hk

Rm401.1st Building, Dayun software Longgang Avenue, Longgang district,Shenzhen

eMail򠀧

全球芯微信公众号

Samsung Micron SKhynix Kingston Sandisk Kioxia Nanya Winbond MXIC ESMT Longsys Biwin HosgingGlobal BoyaMicro Piecemakers Rayson Skyhigh Netsol

SRAM MRAM SDRAM DDR1 DDR2 DDR3 DDR4 DDR5 LPDDR3 LPDDR4 LPDDR4X LPDDR5 LPDDR5X NAND NOR eMMC UFS eMCP uMCP SSD Module